供应韓国SemiWell双向可控硅STW2**60

**：SemiWell         型号：STW2**60  
 
详细说明 
封装形式 TO-247 极性 ------ 
结温 -40～ 125（℃）（℃） 触发电流 ≤30m（A）（A） 
控制方式 双向可控硅 电压 ≥600（V）（V） 
电流 25（A）（A） 型号 STW2**60 


韓国“分立器*”--SemiWell--可控硅系列产品 
?产品类别:2**双向可控硅--TRIACs 
?工业型号:STW2**60 
?封装外形:TO-247  (管脚排列:T1-T2-G) 
?储存温度/Tstg:  -40～+150℃ 
?结温/Tj:   -40～+125℃ 
?峰值门较功耗/PGM:  5.0W 
?重复峰值断态电压/VDRM:  ≥600V 
?通态电流/IT(RMS):  ≤2** (Tc=86℃) 
?峰值门较电压/VGM:  ≥10V 
?峰值门较电流/IGM:  ≤2.0A 
?浪涌通态电流/ITSM:  ≤225/250A  (一周,50/60HZ.峰值，不重复） 
?重复峰值断态电流/IDRM:  ≤5.0 mA (VD=VDRM,单相,半波,T=125℃) 
?峰值通态电压/VTM:   ≤1.4V(IT=3**,**测量) 
?门较触发电流/I+GT1: ≤30mA(VD=6V, RL=10 Ω) 
?门较触发电流(I-GT1:  ≤30mA(VD=6V, RL= 10Ω) 
?门较触发电流/I-GT3:  ≤30mA(VD=6V, RL=10 Ω) 
?门较触发电压/V+GT1: ≤1.5V(VD=6V, RL=10 Ω) 
?门较触发电压/V-GT1:  ≤1.5V(VD=6V, RL=10 Ω) 
?门较触发电压/V-GT3:  ≤1.5V(VD=6V, RL= 10Ω) 
?无触发门较电压/VGD: ≥0.2V(TJ=125℃,VD=1/2VDRM) 
?断态电压临界上升率/(dv/dt)c: ≥6.0V/μS{TJ=125℃,VD=2/3VDRM,(di/dt)c=-12.**/ms} 
?维持电流/IH:   35mA(典型值） 
?热阻/Rth(j-c): ≤1.3℃/W(结到外壳)